学生
2024~2025
[1] 川岸胡春 B4
研究課題： THzデバイス応用に向けた第一原理計算法によるスピントロニクTHz素子の特性の研究
2023~2024
[1] 泉明宏 M2
研究課題： テラヘルツデバイス応用に向けた第一原理計算による低温成長GaAsの空孔の研究
[2] 北川皓哉 B4
研究課題： 第一原理計算に基づくSTMシミュレーションによる低温成長GaAsの格子間As点欠陥の直接同定
2022~2023
[1] 泉明宏 M1
研究課題： テラヘルツデバイス応用に向けた第一原理計算による低温成長GaAsの空孔の研究
[2] Dhonny Bacuyag (from DLSU, D3)
First-Principles Study of Structural, Electronic, and Optical Properties of GaAs(001)-(2x4) with Surface Defects
2021~2022
[1] 泉明宏 B4
研究課題： 第一原理計算を用いた走査型トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscope)のシミュレーションによる低温成長GaAsの点欠陥の直接同定
2018-2019
[1] 大久保和隼 B4
研究課題： 第一原理計算を用いた低温成長GaAsバンド構造の点欠陥濃度依存性の研究
2017-2018
[1] 小山内悠 B4
卒業論文： 第一原理計算法を用いた低温成長ＧａＡｓバンド構造の研究
2015-2017
[1] 小野田竜希 B4
卒業論文： スピントロニクス材料におけるグラフェンの不動態化処理の理論的研究
[2] Dhonny Bacuyag (from DLSU, D3)
研究課題： Discriminating defects in LT GaAs by first-principles for Thz applications